Bungkam Intel dan Micron, SanDisk dan Toshiba Umumkan Memori Flash NAND 19nm

Dipicu oleh tuntutan dari para produsen smartphone dan tablet, perang chip flash NAND memanas. Duo memori flash SanDisk dan Toshiba berhasil membungkam pesaingnya, Intel dan Micron.
SanDisk dan Toshiba mengumumkan akan memproduksi chip memori flash NAND 64Gb 2-bit per-cell yang menggunakan process node 19nm kuartal ini. Padahal minggu sebelumnya, IM Flash, ventura gabungan antara Intel dan Micron mengumumkan produksi chip flash NAND 20mm.
SanDisk mengatakan berharap chip flash NAND 64Gb 19nm akan masuk tahap produksi volume-tinggi pada kuartal kedua 2011. Seperti lazimnya pada pengumuman seperti ini, SanDisk mengungkap bahwa ketika chip-chip itu diproduksi pada kecepatan produksi penuh, ia akan menyajikan 3-bit per-cell pada process node yang sama. -cell units on the same process node.
Saat Sandisk mengungkap rencana masa depannya, Toshiba memaparkan penggunaan chip tersebut dengan mengatakan bisa menyatukan 16 chip 65Gb dalam satu paket untuk menghasilkan drive 128GB untuk dipakai di smartphone dan tablet.  Seperti IM Flash sebelumnya, SanDisk mengatakan bahwa menciutkan chip flash NAND ke 19nm tidak akan mempengaruhi kehandalannya.

Tinggalkan Balasan

Isikan data di bawah atau klik salah satu ikon untuk log in:

Logo WordPress.com

You are commenting using your WordPress.com account. Logout / Ubah )

Gambar Twitter

You are commenting using your Twitter account. Logout / Ubah )

Foto Facebook

You are commenting using your Facebook account. Logout / Ubah )

Foto Google+

You are commenting using your Google+ account. Logout / Ubah )

Connecting to %s